韩德栋，男，博士，副教授，安徽阜南人，现任北京大学信息科学技术学院工会副主席、新器件研究室副主任。
1993年毕业于淮南师范专科学校物理系，1998年9月至2001年7月在中国科学院新疆物理研究所攻读硕士学位，2008年至2009年年在日本庆应大学做访问学者一年，2015年在北京大学取得工学博士学位。
1993年7月至1998年8月 在淮南矿务局化工厂参加工作，2001年7月至今在北京大学任教。
主要研究领域包括新型半导体材料、新型MOS器件结构、新型薄膜晶体管的工艺技术、平板显示和柔性显示技术研究等。
主要研究成果包括：2002年在Si衬底上制备成功HfO2高K绝缘栅介质膜，2005年在Ge衬底制备成功TiGe、NiGe等材料，2007年在Ge衬底上制备成功MOS器件，2008年在Si衬底上制备成功氧化物薄膜晶体管，2010年在玻璃衬底上制备成功氧化物薄膜晶体管。先后主持了国家自然基金项目锗基MOS器件的关键工艺技术研究和全透明氧化物薄膜晶体管的工艺技术及物理机理研究；参加了国家973项目纳米尺度新结构器件理论及模型模拟研究和新型低功耗集成电路材料基础研究课题；参加了国家自然基金项目ZnO稀磁半导体薄膜的制备与相关器件研究、纳米工艺下可制造性和成品率驱动的集成电路设计方法学研究、面向SoC的单胞CMOS结构和集成技术研究、新型50纳米部分耗尽型SOI器件研究等多项国家级科研项目以及北京市科技计划TFT有源OLED显示屏关键技术研发项目。
已发表科技论文40余篇，申请发明专利10余项。